特瑞仕半导体株式会社（东京都东京都江东区，代表董事：木村岳史，以下简称特瑞仕）开发了具备优异耐浪涌电流与浪涌冲击能力的 650V SiC 肖特基势垒二极管 “XBSC41 / XBSC42 / XBSC43 系列”。

　　XBSC41/XBSC42/XBSC43系列支持650V耐压，并提供6A、8A、10A多种电流规格，可根据不同应用需求和设计条件进行灵活选择。其低反向恢复特性有效降低了开关损耗，实现了高效率的电能转换。

　　此外，本系列通过有效降低性能指数（FOM）（图1），进一步减少功率损耗，实现高效率运行，同时大幅提升了IFSM（浪涌正向电流）（图2）耐量。即使在存在严苛浪涌电流或启动浪涌电流的环境中，也能保持稳定工作，从而提升系统整体可靠性。

　　该系列在高效率与高可靠性之间实现了高水平平衡，充分发挥了SiC器件高速开关和低损耗的优势，同时在启动及浪涌电流发生时也可提供充足的设计余量。适用于开关电源、白色家电、通用型逆变器等对可靠性要求较高的多种应用场景，可放心使用。

　　今后，特瑞仕将继续紧跟市场需求，快速开发创新产品，为构建更繁荣的社会贡献力量。

　　特瑞仕半导体株式会社（总公司位于东京，东证Prime市场代码：6616）自1995年成立以来，始终专注于模拟电源IC的研发与制造，是日本国内该领域唯一的专业企业。公司以“Powerfully Small”为产品理念，致力于为客户提供世界最小级别的高效率模拟电源IC（特瑞仕最小产品尺寸为0.7 x 0.7 x 高0.2mm）及相关电源设计方案，不仅帮助客户提升产品附加值，也有效加速其产品开发进程。

　　特瑞仕的产品以日本市场为基础，通过海外6家分公司及7处销售网点销往全球，广泛应用于工业设备、汽车电子、通信产品、计算机设备及可穿戴电子设备等领域。